Такая многоликая память - 2
Технология была продемонстрирована на конференции ISSCC 2008.
Кроме того, там же Intel объявила о разработке первых микрочипов памяти РСМ, выполненных по технологии многоуровневых ячеек MLC. Переход от одноуровневых ячеек SLC к многоуровневым позволит повысить плотность хранения и снизить удельную стоимость памяти.
Инженеры Intel говорят, что PCM является более современным форматом в сравнении в флэш-памятью формата NOR, вместе с тем, в компании подчеркивают, что сферы применения данных разновидностей памяти могут различаться.
Intel обещает начать демонстрацию нового формата уже в ближайшие пару месяцев.
Помимо Intel и STM на сегодня лабораторные образцы PCM-памяти емкостью 512 Мбайт представила лишь Samsung с перспективой начать массовое производство в 2008 году. Свои разработки в области новой памяти также ведут IBM, Macronix и Qimonda. Однако их разработка теряла надежность уже после 100 тыс. циклов.
Mobile DRAM
Компания Micron Technology начала поставки тестовых образцов быстрой памяти Mobile DRAM плотностью 512 Мбит. Новая память поддерживает тактовую частоту до 200 МГц, при которой скорость передачи данных составляет 400 Мбит/с. Память этого типа предназначена для мобильных электронных устройств. Спрос на нее возрастает по мере роста популярности мультимедийных приложений.
В дополнение к модификации, удовлетворяющей требованиям стандарта JEDEC в отношении напряжения на линиях ввода-вывода (1,8 В), предусмотрен выпуск модификации, работающей с напряжением 1,2 В. Как утверждается, пониженное напряжение улучшает передачу сигналов при высокоскоростном обмене и является ключевым требованием разработчиков мобильных чипсетов следующего поколения. Память рассчитана на работу в широком диапазоне температур: от -40° до +85°C. Компания планирует комбинировать Mobile DRAM плотностью 512 Мбит с памятью NAND и Managed NAND в сборках типа MCP (multi-chip package) и POP (package-on-package).
Массовый выпуск памяти должен начаться во втором квартале этого года.
eDRAM на частоте 833 МГц
Как известно, интегрированная динамическая память с произвольным доступом (eDRAM) позволяет повысить быстродействие процессоров. В частности, компания IBM, наметившая на текущий год добавление eDRAM в свои 45-нм процессоры, рассчитывает на двукратный прирост скорости по сравнению с кэш-памятью типа SRAM. Такая же технология используется в графических процессорах NVIDIA, изготавливаемых по 65-нм нормам.
| 
