| |
Такая многоликая память - 2
NAND-технология уже используется компанией IM Flash Technologies (совместное предприятие Intel и Micron) в изготовлении 8-гигабайтных чипов, массовый выпуск которых намечен на вторую половину этого года. Память имеет высокую рабочую частоту и будет выпускаться по технологии 50 нм.
Cтоит отметить, что одноуровневая память SLC традиционно обходится дороже, чем более доступная многоуровневая MLC, а значит, за устройства, в которых будут установлены диски большой емкости из новой SLC NAND-памяти, покупателю придется заплатить гораздо больше. Но большие возможности всегда стоят больших денег.
Флэш-память с тремя битами на ячейку
Пока компании Intel и Micron разрабатывали микросхемы флэш-памяти, которые отличаются в несколько раз более высокой скоростью передачи информации, конкуренты также не сидели сложа руки. Так, компания SanDisk представила свою разработку - 43-нм микросхемы многоуровневой (MLC) флэш-памяти стандарта iNAND емкостью 32 Гбит.
Принципиальным достижением разработчиков SanDisk является создание ячейки NAND-памяти, которая вмещает сразу три бита данных - так называемая технология "x3". Это позволяет увеличить количество продукции, изготовленной из одной кремниевой пластины: на выходе с одной пластины получается на 20% больше кристаллов, чем при производстве стандартной памяти NAND MLC с двумя битами на ячейку при том же техпроцессе. Это в результате должно привести к очередному снижению цен на флэш-память.
Коммерческое использование x3-памяти емкостью 16 Гбит (56-нм техпроцесс) должно стартовать в марте-апреле, а выпуск микрочипов емкостью 32 Гбит (43 нм) SanDisk пообещала наладить летом 2008 года, а 64-гигабитных модулей - в 2009 году. Микросхемы упакованы в корпуса размерами 12х16 мм (этим они напоминают карты памяти MicroSD, однако предназначены только для внутреннего использования в электронных устройствах), соответствуют стандарту JEDEC по напряжению питания. Отметим, что работы над созданием архитектуры флэш-памяти x3 продолжались в течение двух лет, а разработка 43-нм технологического процесса проводится совместной с компанией Toshiba.
По мнению SanDisk, разработка новой технологии с тремя битами на ячейку и скоростью записи, сопоставимой с существующей MLC-памятью, позволит компании производить флэш-накопители с большей плотностью. При этом компания сможет значительно снизить их стоимость по сравнению с MLC-памятью с двумя битами на ячейку, выпущенной по тому же техпроцессу.
Прежде всего, iNAND-память от SanDisk ориентирована на портативные электронные устройства, такие как мобильные телефоны, смартфоны, коммуникаторы, цифровые фотоаппараты, навигаторы, плееры и пр, представляя собой EFD-устройство (Embedded Flash Drive). Использование нового решения позволит не только увеличить емкость встроенного в аппараты накопителя, но и несколько увеличить время автономной работы, поскольку отличается пониженным энергопотреблением. Кроме того, благодаря этой разработке открывается возможность создания более вместительных или менее дорогостоящих SSD-накопителей, а значит, конкуренция с жесткими дисками только обострится.
|
